Face aux sanctions américaines qui limitent l’accès de la Chine aux technologies de puces à base de silicium les plus avancées, le pays asiatique s’efforce de trouver des solutions alternatives. Dans cette perspective, un groupe de recherche, dirigé par le professeur Peng Hailin de l’Université de Pékin, vient d’annoncer un exploit notable. Celui-ci affirme avoir mis au point une puce ultraperformante qui n’utilise pas de silicium. Cette avancée pourrait permettre à la Chine de s’affranchir complètement des contraintes liées à la fabrication de puces à base de silicium. « Si les innovations en matière de puce basées sur des matériaux existants sont considérées comme un “raccourci”, alors notre développement de transistors 2D s’apparente à un “changement de voies” », a déclaré le professeur Peng Hailin dans un communiqué.
Un transistor à base de bismuth
Cette découverte promet ainsi d’apporter un changement radical dans la course aux semi-conducteurs. L’approche adoptée par les chercheurs chinois repose sur l’utilisation d’un transistor à base de bismuth. L’utilisation de ce métal à la place du silicium a permis de concevoir des matériaux exclusifs, entre autres du Bi2O2Se et du Bi2SeO5, qui servent respectivement de matériau semi-conducteur et d’oxyde à haut diélectrique. En s’appuyant sur ce concept, l’équipe est parvenue à créer des structures de grille minces et sans fuite. Cela a largement contribué à la baisse de la tension de commutation.
Une conception innovante
Alors que l’industrie des processeurs vise à dépasser la densité d’intégration de 3 nanomètres, la technologie actuelle, largement basée sur le silicium, limite les possibilités. Contrairement aux conceptions traditionnelles qui mettent en œuvre des transistors FinFET, celle explorée par le professeur Peng Hailin et ses collègues repose sur une nouvelle structure GAAFET. Celle-ci a notamment l’avantage de permettre une meilleure circulation du courant grâce à l’absence d’ailette. D’après les chercheurs chinois, leur transistor révolutionnaire surpasse les modèles comparables à base de silicium développés par Intel, TSMC, Samsung et le Centre interuniversitaire belge de microélectronique.
Des performances impressionnantes
Concrètement, le semi-conducteur nouvellement développé serait 40 % plus puissant que les appareils concurrents gravés en 3 nm les plus avancés actuellement. Ce qui est également intéressant, c’est qu’il offrirait un meilleur rendement grâce à une baisse de 10 % de la consommation énergétique. L’équipe de Peng Hailin s’attend à ce que les performances deviennent de plus en plus impressionnantes à mesure qu’ils affinent le processus de fabrication.
À noter que cette percée est le fruit de près d’une décennie de recherche et de développement menés par les scientifiques de l’université de Pékin à qui on doit également la découverte du système de matériaux Bi2O2Se/Bi2SeO5. Plus d’infos : nature.com. Ces avancées technologiques permettront-elles d’améliorer les performances des ordinateurs de demain ? Je vous invite à nous donner votre avis, vos remarques ou nous remonter une erreur dans le texte, cliquez ici pour publier un commentaire .
Une meilleure performance, une meilleure consommation et un meilleur prix ! Je valide, vive la chine et longue vie à vos entreprises !!! Une bonne leçon a NVIDIA et Intel, qui nous prennent pour des vaches à lait. Hontes au USA